答：1. 双电容检测(集成电路芯片)盖上盖与不盖盖测量工作点相差一百至二百多毫伏。

2. 单电容检测(分离器件)盖上盖与不盖盖测量工作点相差几百毫伏或者是1～2伏左右，分离器件的差异大一些。